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    1. 華洋科儀
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      電容-電壓曲線在光伏電池表征中的應用
      • 發布時間 : 2022-02-25 10:52:48
      • 瀏覽量:2759
        1. 簡介
        電容測量廣泛用于半導體表征,如光伏(PV)電池。例如,用電容測量來確定摻雜濃度。在EC Lab?和EC Lab?Express軟件中,可以直接繪制電容(直接指無需任何后期處理)。電容可通過所有電化學阻抗譜(EIS)技術獲得,即電位EIS(PEIS)、電流EIS(GEIS)、階梯PEIS(SPEIS)、階梯GEIS(SGEIS),“Wait”技術允許用戶跟蹤Z的模量與時間的關系(PEISW技術)。

        根據預想的模型電路,計算兩種類型的電容,Cs或Cp。電容Cs對應于R+C(串聯)電路的電容,Cp對應于R/C(并聯)電路的電容(圖1)。

        本文演示了如何繪制電容與電壓(C-V)曲線。首先,以可變電容器作為實驗模型系統,展示了繪制電容的不同選項。討論了電路模型的選擇,并將Z Fit  擬合的電容值與該技術直接可用的電容值進行了比較。其次,描述了光伏電池的典型C-V特性。


        2. 實驗條件
        使用配備超低電流選項的SP-200或SP-300和EC Lab?軟件進行研究。對于這兩個系統(即varia電容器和光伏電池),采用標準的雙電極連接進行了研究。
        可變電容器的特性如下所述:
        -低壓可變電容雙二極管(NXP的BB201)。
        -在0.5至11V的電壓范圍內,電容在10至120 pF的范圍內。
        光伏電池的C-V特性是在一個由150 W氙燈(由ALX-150電源供電的MOS-200光源)照射的電池上進行的。
        3. 可變電容器的研究
        3.1 R/C或R+C等效電路?
        為了在R/C或R+C中選擇合適的等效電路,需要在較寬的頻率范圍(即3 MHz至1 mHz)上進行EIS測量。設置如圖2所示。

        IS測量結果為半圓(圖3),因此C-V研究考慮R/C模型(Cp變量)。R和C的擬合值分別為70歐姆和145 pF(圖4)。

        3.2 C-V研究
        采用了兩種SPEIS技術。一個在7 MHz到1 Hz的頻率范圍內(設置如圖5所示),另一個在一個頻率下(設置與圖5所示類似,fi等于ff)。在323 kHz的頻率下進行測量,因為在該頻率以上,可變電容器的響應取決于頻率(圖6)。這些實驗分別命名為SPEIS7MHz 1Hz和SPEIS323kHz。電壓掃描從0 V開始,以200 mV的步長上升到10 V。

          SPEIS7MHz-1Hz允許用戶使用Zfit工具在不同頻率下擬合電容值C1(頻率選擇窗口如圖7所示)。圖8中的C1與實驗中已經計算的Cp值進行了比較。C1和Cp在低電壓下的值約為140 pF,在高電壓下的值約為20 pF。因此,比較表明,用Zfit計算的C1和直接在EIS技術中確定的Cp是相同的。
        這些值與可變電容器數據表中描述的規格一致。
        此外,SPEIS7MHz-1Hz和SPEIS323kHz分別持續6200秒和150秒。因此,以一個頻率執行SPEIS可以節省時間。

        (藍色-SPEIS323kHz;綠色-SPEIS7MHz-1Hz擬合值;紅色-SPEIS7MHz-1Hz)
        4. 光伏電池的C-V曲線
        對于光伏電池特性,電壓在3-7.5 V之間掃描,信號頻率為100 kHz(圖9)。根據以前的研究,考慮了R/C模型。所以繪制了Cp vs V曲線(圖10)。

        C-V曲線顯示了3個區域:
        -E<4V:累積區
        -4V<E<6V:耗盡區
        -E>6V:反轉區
        可通過以下關系確定摻雜濃度N:


        其中e是電子電荷(1.60 x 10-19 C),ε0是半導體介電常數(硅為1.03 x 10-12 F/cm)。A是光伏電池的表面,21 cm2 ,C是電容(F),E是電壓(V)。
        由于C~2變量在可用變量列表中也可用(圖1),因此也可以繪制C-2與E的關系圖。該曲線的斜率引起摻雜濃度。
        在這種情況下,斜率(通過線性擬合確定)為3.53 x 1015 F/V,因此摻雜濃度為1.64 x 1014 cm-3。該值與之前給出的值一致。


        5. 結論
        本文介紹了如何在不進行任何擬合的情況下進行電容測量。這有以下幾個優點:
        快速測量,只需一個頻率即可確定Cp或Cs。不需要完整的EIS光譜。
        無后處理:無需阻抗擬合過程
        EC-Lab的圖形包允許繪制不同類型的圖形,如對數間距的C與E、C-2與E,甚至更多…
        可以通過PEISW技術跟蹤電容變化,這種技術對傳感器應用也很有意義。

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